GB/T 11094-2020.Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method.

1范围

GB/T 11094规定了水平法砷化镓单晶(以下简称砷化镓单晶)及切割片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。

GB/T 11094适用于光电器件、传感元件等用的砷化镓单晶及切割片。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T 1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T 2828.1-2012计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划

GB/T 4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T 8760砷化镓单晶位错密度的测量方法

GB/T 13388硅片参 考面结晶学取向X射线测量方法

GB/T 14264半 导体材料术语

GB/T 14844半导体材料牌 号表示方法

3术语和定义

GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。

4牌号及分类

4.1牌号

砷化镓单晶及切割片的牌号按照GB/T 14844的规定进行表示。如有特殊要求,由供需双方协商并在订货单(或合同)中注明。

4.2分类

4.2.1砷化镓单 晶按导电类型分为n型和p型。

4.2.2砷化镓切割片按直径分为 50.8 mm、63.5 mm、76.2 mm、82.0 mm四种规格。

5要求

5.1砷化镓单晶

5.1.1 生长方向

砷化镓单晶以近<111>B方向或(110)晶带上由<111>B向最远的<100>方向偏转0°~15°生长,由供方工艺保证。如需其他生长方向的砷化镓单晶由供需双方协商确定。

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