年产200t单晶硅及1200万片单晶硅切片生产线项目可行性研究报告怎么写：附全文报告模版免费下载
年产200t单晶硅及1200万片单晶硅切片生产线项目可行性研究报告怎么写：附全文报告模版免费下载
1.1项目概况
项目名称：年产200t单晶硅及1200万片单晶硅切片生产线项目
新建企业名称：*****有限公司
项目负责人：***
项目建设地点：*****
1.2项目提出的背景
硅是地球上储藏最丰富的材料之一，从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后，它几乎改变了一切，甚至人类的思维。直到上世纪60年代开始，硅材料就取代了原有锗材料。硅材料――因其具有耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件的特性而成为应用最多的一种半导体材料，目前的集成电路半导体器件大多数是用硅材料制造的。
现在，我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。
熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。
单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。
单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。
单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒材，外延法生长单晶硅薄膜。直拉法生长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3～8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Φ3～6英寸。外延片主要用于集成电路领域。
由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）单晶硅材料应用最广。在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光片，因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除Latch－up的能力。
单晶硅也称硅单晶，是电子信息材料中最基础性材料，属半导体材料类。单晶硅已渗透到国民经济和国防科技中各个领域，当今全球超过2000亿美元的电子通信半导体市场中95%以上的半导体器件及99%以上的集成电路用硅。
高纯的单晶硅棒是单晶硅太阳电池的原料，硅纯度要求99.999％。单晶硅太阳电池是当前开发得最快的一种太阳电池，它的构和生产工艺已定型，产品已广泛用于空间和地面。为了降低生产成本，现在地面应用的太阳电池等采用太阳能级的单晶硅棒，材料性能指标有所放宽。有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过复拉制成太阳电池专用的单晶硅棒。
单晶硅是转化太阳能、电能的主要材料。在日常生活里，单晶硅可以说无处不在，电视、电脑、冰箱、电话、汽车等等，处处离不开单晶硅材料；在高科技领域，航天飞机、宇宙飞船、人造卫星的制造，单晶硅同样是必不可少的原材料。
在科学技术飞速发展的今天，利用单晶硅所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。现在，国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段，正在向实际应用阶段过渡，太阳能单晶硅的利用将普及到全世界范围，市场需求量不言而喻。
1.3可行性研究依据及范围
1.3.1 研究依据
(1)*****有限公司委托知名工程设计研究院进行该项目可行性研究的合同。
(2)*****有限公司提供的有关基础资料。其中包括:企业基本情况、项目工艺流程、引进及国产设备情况、财务核算依据、项目建设地基本情况等。
(3)国家信息产业相关政策。
1.3.2 研究范围
根据上述文件要求，本报告对****有限公司年产200t单晶硅及1200万片单晶硅切片生产线项目进行分析研究，内容包括产品方案、生产规模、市场需求、工程技术方案、环境保护、投资估算和资金筹措、经济效益分析等。
1.4项目的目标和主要内容
1.4.1项目的目标
项目将形成年产200t单晶硅及1200万片单晶硅切片的生产规模。达产后，年销售收入66000万元；增值税2247万元，所得税1742万元，利润总额为6970万元。
1.4.2 项目的主要内容
(1)项目将根据年产200t单晶硅及1200万片单晶硅切片的生产规模，利用已有厂房及公用辅助设施，引进具有国际先进水平的切片机、切方机及硅片检测设备；购置热场、碳毡、石英坩锅、直拉式单晶炉、单晶硅带锯床等国产设备。
(2)厂区内供电、供水等公用配套设施和生活设施的改造及建设。
(3)贯彻环境保护“三同时”、职业安全卫生和节能原则。
1.5 总投资及资金来源
固定资产总投资：本次投资固定资产总额为10500万元，其中；
设备及安装工程: 9559万元（540万美元）；
建设期利息 120万元；
其他费用:821万元。
项目总投资：13000万元(含铺底流动资金2500万元)。
流动资金：8000万元(含铺底流动资金2500万元)。
资金来源：固定资产投资由企业自筹6000万元，或银行贷款4500万元。流动资金银行贷款5500万元，企业自筹2500万元。
1.6 研究的主要结果
经可行性研究其结论性结果为：
(1)在国务院批转国家发改委《产业结构调整指导目录(2005年本)》鼓励类第二十四条中信息产业第38条为：6英寸及以上单晶硅、多晶硅及晶片制造。充分说明本项 目是国家产业政策重点支持和鼓励发展的。
(2)本项 目拟引进的切片机、切方机及硅片检测设备技术先进、自动化程度高、监测手段完备，是目前国际上最先进的单晶硅片制造设备。国产设备选用也以先进、高效、环保、节能为原则。
(3)项目产品单晶硅片是光伏产业的关键材料，国内外市场潜力巨大。
(4)本项 目将根据年产200t单晶硅及1200万片单晶硅切片的生产规模，利用已有厂房进行工艺设备布置，使工艺流程合理、物流通畅，可做到上马快，见效快。
(5)项目重视环境保护，拟投入适量资金建造环保设施对三废进行处理，经处理后的废水、废气将达到排放标准。项目劳动安全卫生、消防等问题将通过恰当措施得以妥善解决。
(6)项目总投资为13000万元，其中固定资产投资10500万元，铺底流动资金2500万元。达产后将形成年产200t单晶硅及1200万片单晶硅切片的生产能力。
(7)项目建设期12个月，达产后，年新增销售收入66000万元，增值税为2247万元，销售税金及附加为180万元，利润总额为6970万元。
(8)项目实施后，企业实力将显著增强，经济分析表明：
内部收益率为：36.42% (所得税后)
投资回收期为：4.08年(所得税后)
投资利润率为：37.68%
投资利税率为：50.80%
由上可见，无论是从产品还是市场来看，本项 目设备较先进，其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强，具有良好的社会效益及一定的抗风险能力，因而项目是可行的。
1.7主要技术经济指标表
主要数据 | |||
1、生产纲领 | 年产200t单晶硅及1200万片单晶硅切片 | ||
2、产品方案 | 年产200t单晶硅及1200万片单晶硅切片 | ||
3、原辅材料 | 多晶硅料 | ||
免清洗单晶硅料 | |||
其他辅料 | |||
4、新增主要生产设备 | |||
5、公用工程 | 用水量 | ||
用电量 | |||
6、人员(新增) | |||
7、全年生产天数 | |||
8、项目实施地建筑面积(m²) | |||
9、固定资产投资(万元) | |||
10、销售收入及税金 | 销售收入(万元) | ||
增值税(万元) | |||
销售税金附加(万元) | |||
利润总额(万元) | |||
所得税(万元) | |||
财务评价 | |||
1、全部投资财务内部收益率(税后) | |||
2、投资利润率 | |||
3、投资利税率 | |||
4、投资回收期(税后) | |||
