1. 生产工艺流程

本项目两种产品生产工艺流程相同，只是在GPP 芯片生产工段中相关的工艺参数设置不同，故本评价一起分析。本项目芯片生产主要分为两段，第一段为整流二极管芯片生产工段，第二段为GPP 芯片生产工段。第一工段加工成芯片半成品后，用于第二工段生产，最终加工形成本项目产品。

1.1 整流二极管芯片生产工艺流程

1. 硅片清洗：通过混合酸、氢氟酸等溶液进行多步骤清洗，去除硅片表面的尘埃颗粒、有机物残留薄膜和吸附在表面的金属离子。

2. 磷扩散：在氮气环境下，通过高温扩散工艺，在硅片表面形成磷扩散层。

3. 分割：将扩散后的硅片进行切割，形成单个芯片。

4. 单面吹砂：使用绿碳化硅磨料对芯片表面进行吹砂处理，去除表面层。

5. 硼扩散：在氮气环境下，通过高温扩散工艺，在硅片表面形成硼扩散层。

6. 铂扩散：在氮气环境下，通过高温扩散工艺，在硅片表面形成铂扩散层。

7. 双面吹砂：使用绿碳化硅磨料对芯片两面进行吹砂处理，去除表面层。

8. 清洗：通过多步骤清洗工艺，去除芯片表面的残留物。

9. 检验入库：进行电性测试、外观检验等，合格后进行包装入库。

1.2 GPP 芯片生产工艺流程

1. 一次光刻：通过光刻胶、显影液等材料，在硅片表面形成图形。

2. 沟槽腐蚀：使用混合酸对硅片进行腐蚀，形成沟槽结构。

3. 焊接面蚀刻：使用混合酸对硅片焊接面进行腐蚀处理。

4. 二次光刻：再次通过光刻胶、显影液等材料，在硅片表面形成新的图形。

5. 玻璃钝化：在硅片表面涂覆玻璃浆料，并进行高温烧结，形成钝化层。

6. 激光划片：使用激光对硅片进行划片，形成单个芯片。

7. 检验入库：进行电性测试、外观检验等，合格后进行包装入库。

2. 主要生产设备

本项目主要生产设备清单如下：